발전기금
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| 학수번호 | 교과목명 | 학점 |
자기 학습 시간 |
영역 | 학위 |
이수 학년 |
비고 | 언어 |
개설 여부 |
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| SDE5043 | 반도체응용시스템공학특론 | 3 | 6 | 전공 | 석사/박사 | 한 | Yes | ||
| 최근 반도체 제품을 활용하는 응용 컴퓨팅 시스템은 기존 PC/Mobile 시대를 넘어 Cloud 및 Datacenter시대를 맞이하여 폭발적으로 변화, 성장해 왔으며, 최근에는 AI와 Metaverse를 더불어AR/MR과 같은 신규 응용을 토대로 또 한번의 혁신적인 변화의 시대를 맞이하고 있습니다. 이러한 변화의 시기에 본 과정은 먼저 최신 반도체 제품이 사용되는 주요 응용별 시스템의 기본적인 하드웨어 구조와 각 구성 요소들이 시스템적으로 어떻게 구동하는지를 학습하고, 또한, 이러한 컴퓨터 하드웨어를 관리하면서 프로그램 실행을 제어하는 시스템적 소프트웨어의 동작 원리와 프로그램 실행 원리를 제대로 이해하고 학습하도록 합니다. 아울러, 본 과정에서는 이러한 이론을 바탕으로 각 응용별로 최신 시스템의 아키텍처적인 변화 Trends와 그 시스템적 성능을 향상시키기 위해 적용했던 다양한 첨단 기술들을 분석하여 향후 시스템에서의 차별화를 위해서는 반도체 제품에서 어떤 기술적 난제들이 존재하고 있고, 이를 해결하기 위한 다양한 기술적 Approach들이 어떻게 적용되어 왔는지를 함께 살펴봄으로써 향후 반도체 개발에서 나아갈 방향에 대한 Insights를 얻고자 함이 본 과목의 최종 목표입니다. | |||||||||
| SDE5044 | 3D반도체제품특론 | 3 | 6 | 전공 | 석사/박사 | 한 | Yes | ||
| Flash 메모리가 3D 반도체의 본격적인 시대를 연 이래로, 미래엔 다양한 반도체 소자 및 제품이 3D 기술을 통해 용량 확대, 고성능, 저전력, small 패키지를 구현해낼 것으로 기대합니다. 제 2의 인터넷 혁명이라 불리는 AI, 자동 주행, Robot 등과 같은 응용에서 3D 반도체는 기존 2D의 한계를 돌파하는 기술 발전을 도모할 것입니다. 본 강연은 플래시 메모리, 차세대 메모리, 그리고 칩렛 기술에서 나타나고 있는 3D 반도체 제품 기술을 소개하고 깊이있는 이해를 통해 미래 다양한 반도체 분야에서 나타날 수 있는 기술 혁신의 방향과 실체를 파악하고 예상하는 시간을 갖고자 합니다. 먼저, 플래시 메모리가 Planar NAND의 형태에서 고성능, 저전력, bit growth 혁신을 20년 이상 이루었던 내용을 소개하고, 2010년대 경험한 높은 기술 한계의 내용과 배경을 이해합니다. 이를 극복하는 과정에서 겪은 실패와 요인 , 마침내 3D NAND로 진화가 가능했던 배경과 Breakthrough 기술을 상세히 다룹니다. 이러한 학습을 통해 다른 이종 메모리와 반도체가 향후 어떤 한계에 부딪히고 어떻게 이를 극복할지에 대해, 엔지니어로서 기술적 영감을 얻는 데 중요한 역할을 할 것입니다. 또한, 미래에 필요한 기술적 소양과 개발 방법론을 고찰하는 기회가 될 것입니다. 세부적인 내용은 다음과 같습니다. 모듈 1: 플래시 메모리 (60%) 기본 반도체 소자 원리 Flash Cell 동작 원리 및 Array 아키텍처 Chip 아키텍처 기술, Core 기술과 Periphery 기술 제조 생산성 증강 설계(DFM)와 테스트 생산성 증강 설계(DFT) Cell 신뢰성 증가 기술 고성능/저전력 기술 Chip Size Reduction 기술 2D NAND의 기술 한계와 도전 과정 V-NAND, COP NAND, Bonding NAND기본 공정과 구조 3D NAND의 핵심 기술 사례 미래 Chiplet 기술의 동향 모듈 2: 차세대 메모리와 3D 반도체/패키지 (20%) 전자기 기초 PRAM, RRAM, FeRAM, MRAM의 기본 동작과 기술 요소 3D DRAM, HBM 기초 제품 기술 개발 동향과 도전 point 모듈 3: 3D 반도체 기술 연구 동향 (20%) 3D Flash 메모리 개발 회사의 개발 역사와 동향 특허 선점을 위한 특허 확보 전략과 사례 본 과정의 내용과 Portion 비중은 과목 업그레이드를 위해 변경될 수 있음 | |||||||||
| SDE5045 | 플라즈마응용공학 | 3 | 6 | 전공 | 석사/박사 | 한 | Yes | ||
| 반도체 공정에서 사용되는 플라즈마의 수학적 모델링과 전자와 이온 에너지의 분포, CCP ICP ECR등 설비 구조와 임피던스 매칭 기술, Probe를 이용한 플라즈마 진단 방법, 그리고 SW를 이용한 플라즈마 시뮬레이션 실습. AC 플라즈마를 적용하는 Dry etching과 Plasma Enhanced CVD, 그리고 DC 플라즈마를 사용하는 Physical Vapor Deposition의 원리와 각 공정의 최신동향. 공정별 표면에서의 화학반응을 기반한 미세 패터닝 기술, 선택비 매카니즘, 박막의 물성과 전기적 특성, 그리고 미래 난제를 해결하기 위해 대두되는 설비적 방법론들의 이론적 의미. | |||||||||
| SDE5046 | 첨단박막공학 | 3 | 6 | 전공 | 석사/박사 | 한 | Yes | ||
| 본 강의에서는 진공의 생성 및 측정, 진공 시스템의 운용, 박막의 성장을 위한 다양한 물리적 화학적 방법들이 소개되고, 이들 과 관련된 원자론적, 운동학적인 메커니즘이 설명될 것이다. 박막의 성장 공정으로 첨단의 Physical Vapor Deposition, Chemical Vapor Deposition, Atomic Layer Deposition 등에 대해 소개하고, 다양한 플라즈마 적용 프로세스 및 모니터링 기술이 소개될 것이다. 또한, 박막과 박막 표면의 전기적, 광학적, 화학적, 구조적인 특성을 분석하기 위한 방법들도 소개된다. 본 박막공학 강의에서는 진공기술, 플라즈마의 특성 및 생성, 박막의 성장, 프로세스 모니터링과 및 이와 관련된 원자론적인 메커니즘, 박막의 물리적 특성, 박막 특성 및 박막의 디바이스 응용에 대해서 다루고자 한다. | |||||||||