전자전기공학부 손동희 교수, '자가치유성 신축성 비휘발성 메모리 소자’세계최초 개발
- ice
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- 2022-09-16
피부처럼 늘어나고 상처가 나도 스스로 복구되는 ‘자가치유성 신축성 비휘발성 메모리 소자’세계최초 개발
- 성균관대-인하대 공동연구, 네이쳐 커뮤니케이션즈 9.5(화) 논문 게재
- 절연성 고분자 내에서 전도성 필라멘트의 가역적 생성/소멸 및 자가치유 원리 규명
- 장기간 생체 정보 저장 가능한 스마트 웨어러블 헬스케어 기기로 활용 기대
[ 사진 ] 전자전기컴퓨터공학과 손동희 교수, 성두환 석박사통합과정
성균관대는 전자전기컴퓨터공학과 손동희 교수 연구팀이 인하대 물리학과 이민백 교수 연구팀과 공동연구를 통해 피부처럼 부드럽고 늘어날 수 있으며 상처가 나도 스스로 복구 가능한 자가치유성 신축성 비휘발성 저항변화 메모리(RRAM: Resistive Random Access Memory) 소자를 개발했다고 최근 밝혔다.
최근 자율주행 자동차, 의료영상 정밀 판독 등 인공지능의 수요가 증가함에 따라 많은 정보를 빠르게 처리할 수 있는 고성능/고용량 메모리 소자에 대한 수요도 동시에 커지고 있다. 그러한 메모리 소자로 대표되는 플래시 메모리는 데이터를 장기간 안정적으로 유지하기 어렵다. 이러한 문제의 대안으로 ‘저항변화 메모리 소자’는 동작 속도가 수천 배 이상 빠르고, 장기간 데이터를 쓰고 지우는 성능 또한 우수하여 차세대 비휘발성 메모리 소자로 활발히 연구되고 있다. 또한, 저항변화 메모리 소자는 인간의 뇌와 유사하게 동작하는 뉴로몰픽(Neuromorphic) 반도체 소자로 응용되거나, 기존의 DRAM(Dynamic Random Access Memory)과 플래시 메모리 간 정보 전달 효율을 높일 수 있는 임베디드 메모리(Embedded Memory)로 응용될 수 있어서 앞으로 수요가 더욱 커질 것으로 기대된다.
휘어지는 폴더블 전자기기의 상용화에 따라 유연한 비휘발성 저항변화 메모리 소자 개발 관련한 연구가 활발히 진행되고 있다. 최근에는 구불구불한 배선의 설계 필요 없이 메모리 소자 자체가 늘어나는 기술이 보고되고 있지만, 인장 시 안정성이 떨어지고 외부의 강한 충격을 받거나 물리적으로 손상되었을 때 메모리 기능이 상실되어 내구성 측면에서 한계를 보였다.
손 교수는 “자가치유성을 갖는 신축성 비휘발성 메모리 소자를 개발한 것으로 고내구성 지능형 전자피부 시스템 개발에 크게 기여할 수 있다”며 “향후 뉴로모픽 기반의 생체전자시스템 발전에 중요한 초석이 될 것으로 기대된다”고 연구 의의를 설명했다.
한편 이번 연구결과는 국제 학술지인 네이처 커뮤니케이션즈(Nature Communications)에 게재되었다.
[ 링크 ] http://edu.donga.com/?p=article&ps=view&at_no=20220914152502266989