UNIST 김명수 교수님의 세미나가 2월 12일 진행될 예정입니다.

관심있는 학생 여러분의 많은 참석 바랍니다.

■ 일시: 2025.02.12. (목) 16:00 ~ 18:00

■ 장소: 21534호 (제1공학관 21동)

■ 주제: Preventing Plasma-Induced Resist Hardening in MoS2 FETs via Sacrificial Metal

■ 연사: UNIST 김명수 조교수

- The University of Texas at Austin, Department of Electrical and Computer Engineering 석사/박사 졸업

- (前) 마이크론 테크놀로지 R&D 특성 분석 엔지니어

■ ABSTRACT

본 세미나에서는 Sacrificial Metal 레이어를 활용하여, MoS2 채널 상의 PR 경화 및 잔류 문제를 해결하고 컨택 저항을 개선하는 공정 기법을 논의하고자 한다.

최근 MOSFET 소자의 지속적인 Channel Length Scaling-down에 따라, 원자 수준의 두께에서도 우수한 이동도를 유지하는 2차원 반도체(TMD) 기반 소자 연구가 가속화되고 있다. 그러나 포토 리소그래피 및 플라즈마 처리 등의 공정 과정에서 MoS2 표면의 PR이 경화되어 완전히 제거되지 않는 고질적인 문제가 발생하며, 이는 금속 전극과의 계면 특성을 악화시키는 주요 원인이 된다.

따라서 본 세미나에서는 2차원 반도체 공정 시 잔류 PR 제거가 어려운 근본적인 원인을 분석하고, 이를 물리적으로 차단하여 소자 특성을 확보할 수 있는 Sacrificial Metal 리소그래피 방식의 메커니즘 및 효과에 대해 논의하고자 한다.

■ HOST: 박진홍 교수 (전자전기공학부)